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產(chǎn)品名稱：RTP快速退火爐管式
產(chǎn)品型號：CY-RTP1200-T6-L
產(chǎn)品廠商：成越科儀
產(chǎn)品文檔：

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簡單介紹：

RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作。退火爐用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。

詳情介紹：

RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作。

主要具備以下特點：

1、更短的工藝時間；

2、更快的升、降溫速率；

3、處理基片時雜質(zhì)運動zui??；

4、減少顆粒沾污；

5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制.

RTP快速退火爐應用領(lǐng)域：

1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導電率的攙雜材料注入半導體晶片的標準工藝技術(shù)。

2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達到降低氧化速率的目的。

3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。

RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	RTP快速退火爐【管式】
產(chǎn)品型號	CY-RTP1200-T6-L
有效尺寸	Φ150mm
基片尺寸	≦6英寸
升溫速率	A型為標準配置：≦100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz，功率15KW
降溫速率	200℃以上≤25min
控溫模式	可預設(shè)曲線，按流程控溫
控溫精度	±1℃
工作溫度	≦1000℃
測溫位置	測溫點置于樣品處
密封法蘭	水冷式
工作真空	10-3Pa～105Pa均可
可通氣氛	可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體
真空測量	標準配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa
真空測量	選裝配置：復合真空計，量程10-5Pa～105Pa
真空系統(tǒng)	標準配置：VRD-4真空泵1臺
供電要求	要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC220V/50Hz
水冷機組	水箱容量9L，zui大揚程10m
整機尺寸	1200mm x 610mm x 570mm
包裝尺寸	1475700800
包裝重量	180Kg
隨機配件	1、說明書1本
	2、隨機配件1套
	3、配件清單1份

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主要具備以下特點：

RTP快速退火爐應用領(lǐng)域：

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