單室磁控濺射鍍膜儀設(shè)備用途：

用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大專(zhuān)院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

單室磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

真空室		圓型真空室，尺寸? 450×50mm
真空系統(tǒng)配置		復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥
極限壓力		≦6.67*10-5 Pa （經(jīng)烘烤除氣后）
恢復(fù)真空時(shí)間		40 分鐘可達(dá)到6 .6*10-4 Pa 。（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_(kāi)始抽氣）
磁控靶組件		永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個(gè)可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；三個(gè)靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~110mm可調(diào)；當(dāng)直接向上濺射時(shí)，靶與樣品距離40~80mm可調(diào)
基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(tái)	基片結(jié)構(gòu)	基片加熱與水冷獨(dú)立工作，取下加熱爐可以換上水冷基片臺(tái)
	樣品尺寸	?30mm
	運(yùn)動(dòng)方式	基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速 5~10 轉(zhuǎn)／分
	加熱	基片加熱*高溫度600℃±1℃
	基片負(fù)偏壓	－200V
氣路系統(tǒng)		質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)		控制樣品轉(zhuǎn)動(dòng)，擋板開(kāi)關(guān)，靶位確認(rèn)等
可選配件6工位基片加熱公轉(zhuǎn)臺(tái)		拆下單基片水冷加熱臺(tái)可以換上該轉(zhuǎn)臺(tái)?？赏瑫r(shí)放置6片30mm的基片；6個(gè)工位中，其中一個(gè)工位安裝加熱爐，其余工位為自然冷卻基片臺(tái)；基片加熱*高溫度600℃ ±1℃
設(shè)備占地面積	主機(jī)	I300×800mm2
	電控柜	70×700m2

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