高真空磁控濺射鍍膜儀設備用途：

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

高真空磁控濺射鍍膜儀技術參數(shù)：

真空室		梨型真空室，尺寸? 560×350mm
真空系統(tǒng)配置		復合分子泵、機械泵、閘板閥
極限壓力		2.0 * 10-5 Pa （經(jīng)烘烤除氣后）
恢復真空時間：		40 分鐘可達到6 .6*10-4 Pa 。（系統(tǒng)短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣）
磁控靶組件		永磁靶5套；靶材尺寸?60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；靶與樣品距離 90~130mm可調(diào)；
基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺	基片結(jié)構(gòu)	設計6個工位，其中１個工位安裝加熱爐，其余工位為水冷基片臺
	樣品尺寸	?30mm，可放置6片
	運動方式	0?360℃往復回轉(zhuǎn)
	加熱	基片加熱*高溫度600℃±1℃
	基片負偏壓	－200Ｖ
氣路系統(tǒng)		質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路
計算機控制系統(tǒng)		控制樣品轉(zhuǎn)動，擋板開關，靶位確認等
設備占地面積	主機	1300×800mm2
	電控柜	700×700m2

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