可程控磁控濺射鍍膜儀由工控機(jī)和PLC實現(xiàn)控制，有自動和手動控制兩種模式。除取放樣品外，其它操作過程全部在觸摸屏上實現(xiàn)；提供真空系統(tǒng)、濺射工藝設(shè)置、充放氣系統(tǒng)等人機(jī)操作界面；在工控機(jī)上可通過配方設(shè)置參數(shù)，實現(xiàn)對程序工藝過程和設(shè)備參數(shù)的設(shè)置。

可程控磁控濺射鍍膜儀設(shè)備用途：

該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、LED和光伏等行業(yè)，主要用于各種金屬、半導(dǎo)體及介質(zhì)材料的薄膜制備，可滿足科研兼小批量生產(chǎn)需要。

濺射室極限真空		≤8.0×10-6Pa
恢復(fù)真空時間		系統(tǒng)從大氣抽至1.0×10-3 Pa≤15min
均勻性		膜厚不均勻性≤±5%；片間不均勻性≤±5%；批次間不均勻性≤±5%
濺射真空室		圓筒形結(jié)構(gòu)，尺寸Ф800mm×250mm
磁控濺射系統(tǒng)		永磁靶4支，靶材尺寸6英寸； 配1臺進(jìn)口電源（射頻或直流脈沖可選）； 濺射速率：0.5～5埃/秒（靶材Al）
公轉(zhuǎn)基片臺		6英寸6片，（4英寸12片或3英寸16片）； 基片公轉(zhuǎn)3～15轉(zhuǎn)/分，連續(xù)可調(diào)，可選配公自轉(zhuǎn)復(fù)合工件臺
光加熱系統(tǒng)		樣品加熱溫度：室溫～250℃，連續(xù)可調(diào)； 基片溫度不均勻性：≤±10℃； 控溫方式為PID自動控溫及數(shù)字顯示，配備進(jìn)口控溫表
工作氣路		2路質(zhì)量流量控制器氣路
抽氣機(jī)組成		低溫泵（進(jìn)口）、羅茨干泵機(jī)組、氣動閘板閥（進(jìn)口）、管路等
真空測量		2個真空計（進(jìn)口）對系統(tǒng)真空、工作真空及前級真空進(jìn)行**檢測；真空度在工控機(jī)觸膜屏上可直觀顯示；可準(zhǔn)確監(jiān)控濺射鍍膜工藝過程的真空度
控制系統(tǒng)		系統(tǒng)由工控機(jī)（觸摸屏）和進(jìn)口PLC實現(xiàn)對整個系統(tǒng)的控制
占地面積	主機(jī)	1500×1000mm2
	電控柜	700×700mm2（一個）

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